发布：2023-10-21 07:44:03 关注：11515次
人才引进工作地区：上海
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招聘 岗位 |
专任副研究员1名（所属任务：3-5nm） |
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岗位 职责 |
1. FinFET及GAA器件的设计及工艺整合。 2. SiGe材料外延工艺开发。 3. 面向先进工艺的DTCO技术研究。 |
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招聘条件 |
1. 拥护党和国家的各项方针政策，遵守法律法规，品行端正；身体健康，心理素质良好；爱岗敬业，恪守学术规范和职业道德。 2. 具有微电子、物理、材料相关专业/学科博士学位。 3. 年龄一般在40周岁以下。 4. 须具有副高级专业技术职务任职资格或海外人员达到相应水平，或任务特需的，具有中级专业技术职务任职资格（获聘后按中级专业技术职务任职资格认定） 5. 精通半导体器件物理以及集成电路工艺，具有丰富的半导体器件和工艺开发经验，包括EBL/刻蚀/外延/ALD/CVD，器件/工艺仿真等。 6. 具有重大项目研究经历者优先。 |
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招聘 范围 |
校内、外 |
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岗位 待遇 |
1.与学校签订劳动合同，可申请学校相关住房。 2.提供有市场竞争力的薪资待遇和优越的科研环境。 3.符合相关条件的，可按照学校规定申请子女入托入学。 |
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应聘 程序 |
1.应聘者发送个人简历（包括学习研究经历、发表论文列表、既往研究成果、未来研究计划等）至qyx@fudan.edu.cn, 抄送到xu_min@fudan.edu.cn。 2.择优安排面试。 3.拟聘用者报学校审批。 |
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联系 方式 |
邮箱：xu_min@fudan.edu.cn |
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截止 日期 |
2023年12月31日 |
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备注 |
订立聘用合同或者劳动合同以前有下列情形的，不予录用： （1）受过刑事处罚、行政拘留处罚，或者因涉嫌违法正在接受有关部门调查，尚未作出结论的； （2）受到党（团）纪、政纪处分，处分尚未解除，或者因涉嫌违纪正在接受有关单位调查，尚未作出结论的； （3）违反高等学校教师职业行为规范的； （4）在应聘过程中违背诚实信用或者社会公序良俗的； （5）其他不符合聘用条件的情形。 |
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